2009年1月8日
半導体用次世代エッチングガスC4F6事業の拡大強化
〜川崎事業所に新設備を建設し、半導体向け低環境負荷型高純度ガスの量産開始へ〜
昭和電工株式会社（社長：高橋 恭平）は、米国エアープロダクツ・アンド・ケミカルズ社と共同で、環境負荷の極めて小さい半導体向けエッチング用高純度ガスC4F6（ヘキサフルオロ−1，3−ブタジエン）の生産を開始いたします。生産設備は当社川崎事業所において建設し、2009年上半期に完工の予定です。
C4F6は、半導体に使用するシリコンウエハーを加工する工程において、ウエハー上に形成された薄い酸化膜をエッチング（注1）するために使われます。既存のエッチング用ガスと比較して微細加工性（注2）や選択性（注3）に優れているため、現在主流の線幅65ナノメートル（nm、1nm=1/10億m）やそれ以下の微細加工において、需要の拡大が見込まれています。C4F6の地球温暖化係数は0.1未満（CO2の場合、係数は1）であり、他のフッ素系エッチングガスと比べて数万から約十万分の一と非常に小さいことから、気候変動に対する影響の抑制に大きく貢献いたします。
当社は、これまでC4F6の粗製品をロシアで生産・輸入し、川崎事業所において高純度化を行い販売してまいりました。今般の川崎事業所における生産設備の稼動により、今後のC4F6に対する需要の拡大に対応してまいります。また粗製品のロシアと川崎の二拠点化ならびに川崎における一貫生産体制の構築により、供給体制の一層の安定化を図ります。
当社は、半導体やディスプレーなどの電子材料分野で使用される高純度ガスを戦略的事業と位置づけ強化を図ってまいりました。フッ素系化合物は、半導体のエッチング工程等、様々な電子材料に使用されており、今後もその需要は年々拡大すると見込まれます。当社はフッ素系化合物製品のラインアップを充実させITケミカル事業のより一層の拡大強化を図ります。
以上
| (注1) エッチング | ： | 電子回路等を作るために微細な溝や孔を膜に刻むこと |
| (注2) 微細加工性 | ： | 細くて深い溝や孔を膜に刻みつけること |
| (注3) 選 択 性 | ： | 酸化膜にのみ作用し窒化膜などの別種類の膜や、シリコンウエハーには作用しないこと |
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