朝起きて、明かりをつけて、テレビをつける。コーヒーを淹れながら朝ごはんの準備・・・

この一連の動作で欠かすことのできない電力は絶え間なく、発電所から私たちのもとへと送り届けられています。

発電所で作られた数千ボルトから2万ボルトもの電力はパワー半導体により、変電所で使いやすい状態に変換され、工場やビル、鉄道や家庭へと送られます。ただ、変換時にはどうしてもロスが生じ、発電所からの電力を全て使うことができません。

 

そこで今後、活躍が期待されるのがSiC(炭化シリコン)エピタキシャルウエハーを用いたSiCパワー半導体です。現在使用されているSi(シリコン)半導体よりも、SiCパワー半導体はより無駄なく電力変換を行うことが可能で、大幅な省エネルギー化を達成することができます。

また、SiCパワー半導体は電車や自動車のモーターの回転制御などに利用されるインバーターの主要部品でもあります。Siに比べ、優れた特性を持つSiCエピタキシャルウエハーは、部品の軽量化や小型化にも寄与します。

昭和電工では、SiCパワー半導体の性能を左右するSiCエピタキシャルウエハーの開発を行っています。
SiCパワー半導体をいろいろな分野で活用してもらいたい。
そんな思いで日々、品質の向上に取り組んでいます。