トップページ>ニュースリリース>2003>次世代型CMPスラリー生産設備の増強について

ニュースリリース

次世代型CMPスラリー生産設備の増強について

2003年11月13日

昭和電工株式会社(大橋光夫社長)は、線幅90nmの次世代型半導体の微細加工用高純度セリア(酸化セリウム)系 CMPスラリー「商品名:GPL」の出荷量増加に対応するため、信州事業所(長野県塩尻市、丸田節雄所長)にて生産設備の増強を完了しました。

CMPは“Chemical Mechanical Polishing”の略で、当社が有する無機化学と有機化学を融合させた研磨材です。

【Chemical:有機化学、化学反応】 添加剤の組み合わせにより、研磨面の平坦化や研磨したい部分だけの選択的加工を実現。
【Mechanical:無機化学、砥粒】  優れた研磨特性。

GPLは、主に半導体デバイスの素子分離(STI)用および層間絶縁膜(ILD)用研磨に使用されますが、品質要求の厳しいSTI用途で多く使用されています。
半導体の加工工程における線幅微細化目標は、2001年:130nm(1nm=1/10億m)、2004年:90nm、2007年:65nm、 2010年:45nmと微細化の一途をたどっております。現在、量産化が開始されている90nm品のSTI用研磨材には、130nm対応までの主流であるシリカ(二酸化ケイ素)系に代わり、セリア系CMPの必要性が増しております。  この動向に対応するため、当社はGPLの生産設備を現在の年産200トンから年産300トン/年に増設いたしました。
また、現在量産に向けて開発が進む線幅65nmの最先端半導体の微細加工では、ロジックデバイスでの配線材料がアルミニウムから銅へのシフトが進むこと、Ultra-Low-k(超低誘電率)材の採用、配線層の多層化が進むこと等によるスラリーの高性能化が求められており、当社は、これらの要請に対応する新たな高性能Cu(銅)用CMPスラリーを開発中です。
当社は、研磨材、研削材の国内唯一の総合メーカーとして、世界に認められる高い技術力を有しております。特にセリア系研磨材は、液晶ガラスやガラスハードディスク用研磨材「商品名:SHOROX」を1980年代に事業化したことでセリアに関する技術的知見を深め、現在当社はセリア系CMPで大きくシェアを伸ばしております。
なお、当社CMP事業は2006年に年間50億円の売上高を計画しております。
当社は現在推進中の連結中期経営計画「プロジェクト・スプラウト」において、半導体プロセス材料を成長戦略事業と定め、その中核事業としてCMP材料をはじめとし、フッ素系エッチングガス・洗浄ガス等の特殊材料ガス等で、積極的な事業展開を行っております。

以上