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ニュースリリース

低環境負荷 半導体デバイス超微細加工用ガスC4F6の上市について

2003年11月20日

昭和電工株式会社(大橋光夫社長)は、需要が拡大するデジタル家電や液晶表示装置等向け最先端システムLSI(大規模集積回路)、高速・大容量のメモリーデバイス等の加工に不可欠な、線幅90nm以下の超微細加工用ドライエッチングガス「C4F6:ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン」をロシアにて開発いたしました。ロシアにて粗製品を量産し当社川崎事業所で精製、品質保証し2004年初より本格事業展開を行います。
C4F6は環境負荷が非常に低いという優れた特長も併せ持っており、2005年に10億円規模の売上高を見込んでいます。
半導体業界におけるシステムLSI等加工時の線幅技術目標値は、2001年:130nm(ナノメートル:1nm=1/10億m)、2004 年:90nm、2007年:65nm、2010年:45nmと益々微細化の一途をたどっております。また、デバイス等のコスト削減につながる直径 300mmの大口径シリコンウエハー加工設備の立ち上がりにより、半導体の需要はさらに拡大してまいります。
半導体加工工程の基本となるシリコン酸化膜の微細加工には、フッ素系ガスによるドライエッチング法が広く普及しております。この度当社が上市したC4F6は、特に線幅90nm以下の最先端酸化膜微細加工プロセスに採用されたフッ素系ドライエッチングガスで、線幅130nmクラスの加工で使用されるC4F8(オクタフルオロシクロブタン)等と比べ、以下の特徴を有しております。

1.低環境負荷

  • 1)大気寿命が2日以下と短く(C4F8:3,200年)環境への負荷が非常に小さい。
  • 2)このため、C4F8等温暖化係数が高いPFC(Perfluorocarbon)の代替品として有用。

2.最先端微細加工対応

  • 3)細くて深い溝(高いアスペクト比)が得られるため、微細加工性に優れる。
  • 4)シリコン酸化膜のみ加工し、レジスト、シリコン基板や窒化膜を加工しない選択性に優れる。
    なお、当社は本年2月に、国内で初めてC4F6の*化審法に基づく新規化学物質の届出を完了しております。
    *化学物質の審査及び製造等の規制に関する法律

また、C4F6はその分子構造から一種のモノマーとしての機能も有することより、ドライエッチング用途以外にも、フッ素系ポリマー等の機能性材料用途への展開も図ってまいります。
当社は現在推進中の連結中期経営計画「プロジェクト・スプラウト」において、半導体プロセス材料事業を成長戦略事業と定め、積極的な事業展開に取り組んでおります。具体的には、エレクトロニクス分野では、半導体、液晶製造用のフッ素系エッチチング・洗浄ガス、有機金属系成膜ガス等特殊材料ガス、洗浄剤、廃ガス除害装置、オプトエレクトロニクス分野では光通信部材や半導体製造用の光学材料等の光関連精密部材です。

以上