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ニュースリリース

パワー半導体用SiCエピタキシャルウェハー事業の譲受・譲渡について

2008年12月4日

昭和電工株式会社
有限責任事業組合エシキャット・ジャパン

-将来の市場拡大に対応した事業推進体制を構築-

 昭和電工株式会社(社長:高橋 恭平、以下「昭和電工」)と有限責任事業組合エシキャット・ジャパン(代表:渡辺純一、以下「エシキャット」)は、2008年末までに、エシキャットが有するパワー半導体用SiC(炭化ケイ素)エピタキシャルウェハー(※1)事業を、昭和電工が譲り受けることで合意致しました。

 SiCエピタキシャルウェハーを用いた半導体は、現在主流のSi(シリコン)半導体を凌ぐ性能を持ち、電力・自動車・鉄道・家電などさまざまな分野に利用されている電力変換用デバイスやインバーターモジュールへの応用が期待されています。しかしながら、高品質のSiCエピタキシャルウェハーを安定的に供給できるメーカーが国内に無かったことが、SiCの特性を活かすデバイス開発や日本での産業育成の阻害要因となっていました。

 エシキャットは、独立行政法人産業技術総合研究所(理事長:吉川弘之、以下「産総研」)・財団法人電力中央研究所 (理事長:白 良一)・昭和電工の3者が有する独自技術および共同研究成果を活用し、パワー半導体用SiCエピタキシャルウェハーを量産・販売することを目的とし、「産総研技術移転ベンチャー」(※2)としての支援を産総研より受けて、個人組合員6名と法人組合員である昭和電工によって2005年9月に設立され、2006 年11月には、SiCエピタキシャルウェハーの販売を開始しました。その後、継続的な品質向上と新規グレードの開発に取り組み、現在では、2インチ、3インチ並びに4インチサイズのウェハーについて、世界最高水準の均一性と低欠陥化を実現し、お客様のご要望にお応えしています。

 昭和電工およびエシキャットでは、パワー半導体用SiCエピタキシャルウェハー市場の今後の拡大を促進するとともに、事業規模の拡大のためには、昭和電工がエシキャットの事業を譲り受けて推進することが望ましいと判断し、今般の合意に至りました。

 昭和電工では、将来の当社を牽引する新製品の研究開発を推進中であり、半導体デバイス市場などの6分野を戦略的市場単位(SMU=Strategic Market Unit)と定めて集中的に経営資源を投入し、パワー半導体用SiCエピタキシャルウェハーは、その中心的テーマとして取り組んでおります。
 エシキャットは2008年12月8日と9日の2日間、大田区産業プラザ(東京都大田区蒲田1-20-20)において、応用物理学会SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会主催の「SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会」第17回講演会の併設企業展示会に出展致します。

以上

  • ※1SiCエピタキシャルウェハー:
    SiCバルクウェハーの表面上に薄膜の単結晶SiC層を成長させたもの。
  • ※2産総研技術移転ベンチャー:
    産業技術総合研究所は、産総研ベンチャー技術移転促進措置実施規程に基づき、同研究所において得られた研究成果を活用するベンチャー企業に対して「産総研技術移転ベンチャー」の称号を付与し、知的財産、施設等の使用や情報提供等において様々な支援を行っている。エシキャット・ジャパンは、2005年度に登録された「産総研技術移転ベンチャー」19社のうちの1社である。


〔SiCエピタキシャルウェハー(左から順に2,3,4インチ)〕

◆ お問い合わせ先:
昭和電工株式会社 IR・広報室 03-5470-3235
有限責任事業組合 エシキャット・ジャパン E-mail:info@esicat-j.com