トップページ>ニュースリリース>2012>パワー半導体用SiCエピタキシャルウェハー生産能力を2.5倍に増強

ニュースリリース

パワー半導体用SiCエピタキシャルウェハー生産能力を2.5倍に増強
-次世代インバーターの実用化・市場拡大に寄与-

2012年8月30日

 昭和電工株式会社(社長:市川 秀夫)は、当社秩父事業所(埼玉県秩父市)で生産する表面平滑性が高く結晶欠陥が制御されたパワー半導体用4インチ径SiC(炭化シリコン)エピタキシャルウェハーの生産能力を、設備の増設と生産技術の向上により、従来の2.5倍にあたる月産1,500枚まで増強いたしました。

 SiCエピタキシャルウェハーを用いるSiCパワー半導体は現在主流のSi(シリコン)半導体に比較し高電圧大電流に耐えられる性質と高温環境下でも動作する特長を持ちます。この特長により部品構成点数の削減と冷却装置の小型化が可能となるため、電力制御に使用するモジュールの軽量・小型化を図ることができます。また、電力制御の際のエネルギー損失も削減できることから、Si半導体に比べ大幅な省エネルギー化が達成できます。

 これらの理由により、SiCパワー半導体は自動車・鉄道車両・産業機器・家電製品等さまざまな分野において、特にモーターの回転制御等に用いられるインバーター(直流電力を交流電力に変換する装置)向けに大きな需要が期待されています。既に一部家電製品や新エネルギー分散電源での実用化、地下鉄車両への試験搭載が始まっており、今後、電気自動車やハイブリッドカーといったエコカーへの搭載も進むものと予想されています。 

 これらのインバーターには、SiCパワー半導体のSBD*と、MOSFET**が組み込まれます。特にMOSFETはエピタキシャルウェハー表面に形成する酸化膜をデバイス動作に用いることから、ウェハー表面の平滑性が重要とされています。当社のエピタキシャルウェハーは高平滑表面を持つことから、高品質が求められるMOSFET向けのグレードとして高い評価をいただいております。

 当社は、今回の生産能力増強に引き続き、現状最大4インチ径である口径の一層の大型化と低欠陥化、特性均一性の向上を進め、6インチ径及び大電流・高耐圧デバイス用途エピタキシャルウェハーの開発を加速してまいります。

以上

*SBD(Schottky Barrier Diode) 
ショットキーバリアダイオード
**MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ

 

〔ご参考〕

(1) SiCエピタキシャルウェハー SiCエピタキシャルウエハー 


(2)SiCエピタキシャルウェハー、SiC製SBD・MOSFETの概念図SiCエピタキシャルウェハー、SiC製SBD・MOSFETの概念図 


(3)SiCパワー半導体関連製品の概要SiCパワー半導体関連製品の概要 

◆ お問い合わせ先
昭和電工株式会社 IR・広報室 03-5470-3235