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ニュースリリース

パワー半導体用SiCエピウェハー6インチ品を上市
-次世代インバーターの実用化・市場拡大に寄与-

2013年9月30日

   昭和電工株式会社(社長:市川 秀夫)は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウェハー(以下、エピウェハー)で、世界最大となる直径6インチ(150mm)品の量産化技術を確立しました。また、4インチ(100mm)品においても低欠陥化を進め均一性を向上させた新グレード製品の開発を完了しました。両製品とも10月から販売を開始します。

 当社は、SiCエピウェハーに関して従来から3インチ(76.2mm)品および4インチ品の製造、販売を行ってきましたが、生産性の向上に効果のある次世代グレードの6インチ品の研究開発を進めてまいりました。年初からサンプル出荷を進めてきましたが、量産化技術が確立したため、10月から製品仕様を設定し、製品として販売します。

   SiCパワー半導体は、現在主流のシリコン(Si)製に比べ高温環境下で使用可能であり、高電圧・大電流に対する耐性を持ちます。また電力損失も大幅に削減できることから、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と高効率化を実現する次世代型パワー半導体として注目されています。特に、自動車・鉄道車両・産業機器・家電製品などさまざまな分野で用いられるインバーター(直流電力を交流電力に変換する装置)向けに大きな需要が期待されています。

 すでにデータセンターのサーバー電源や新エネルギーの分散型電源、地下鉄車両への搭載が始まっておりますが、6インチ品は実用化デバイスの低コスト化と100A級の大きな電流容量のSiCデバイスの量産にも適しており、本製品の販売によって、電気自動車やハイブリッド車への採用も進むものと予想されます。

 当社は、今回の製品ラインナップの拡充に引き続き、更なる品質向上と生産能力増強に取り組みます。4インチ品換算での月産能力を、現在の1,500枚から2014年前半には2,500枚相当まで引き上げ、SiCパワー半導体の普及に寄与してまいります。

 以上

 
6インチ品 SiCエピタキシャルウェハー

◆ お問い合わせ先
昭和電工株式会社 広報室 03-5470-3235