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ニュースリリース

パワー半導体用SiCエピウェハー6インチ品、「半導体・オブ・ザ・イヤー2014」でグランプリを受賞

2014年6月4日

 昭和電工株式会社(社長:市川 秀夫)のパワー半導体材料である6インチ炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウェハー(以下、SiCエピウェハー)が、半導体産業新聞が主催する「半導体・オブ・ザ・イヤー2014」の半導体電子材料部門でグランプリを受賞しました。

 本賞は2013年4月から2014年3月の間に発表された半導体関連製品の中から、半導体デバイス・半導体製造装置・半導体用電子材料の3部門において、開発の斬新性・量産体制の構築・社会に与えたインパクト・将来性などを基準に、それぞれグランプリ1製品と優秀賞2製品を選定したものです。

 本SiCエピウェハーが用いられるパワー半導体は、現在主流のシリコン(Si)製に比べ耐高温性・耐電圧性に優れ、熱による電力損失も大幅に削減できます。電力制御用モジュールの小型化・省エネルギー化につながることから、すでにデータセンターのサーバー電源や新エネルギーの分散型電源、地下鉄車両への搭載が進んでいます。当社の6インチSiCエピウェハーは、結晶欠陥を4インチの従来品と同等レベルに制御しており、品質・コストの両面において、車載用インバータに使用される大電流容量SiCデバイスに必要な性能を確保しています。

 2020年頃からはハイブリッド車や電気自動車向けSiCパワー半導体の需要増加も期待されています。当社は引き続きSiCエピウェハーの更なる品質向上と生産能力増強に取り組み、SiCパワー半導体の普及に寄与してまいります。

 以上

6インチ品 SiCエピタキシャルウェハー6インチ品 SiCエピタキシャルウェハー

受賞した事業開発センター パワー半導体プロジェクトのみなさん受賞した事業開発センター パワー半導体プロジェクトのみなさん

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昭和電工株式会社 広報室 03-5470-3235