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ニュースリリース

パワー半導体用SiCエピウェハー 6インチ品の生産能力増強
-生産性と品質向上で次世代パワーデバイスの普及に貢献-

2014年9月22日

 昭和電工株式会社(社長:市川 秀夫)は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウェハー(以下、エピウェハー)の6インチ(150mm)品の生産能力を月産400枚から1,100枚に増強しました。これにより、当社の月産能力は4インチ(100mm)換算で従来*の約6割増となる2,500枚になりました。また、高性能デバイスに対応し、低欠陥化を進め均一性を向上させた新グレード製品の出荷を10月より開始いたします。

 SiCパワー半導体は、現在主流のシリコン(Si)製に比べ耐高温・高電圧特性や大電流特性に優れ、電力損失も大幅に削減できることから、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と高効率化を実現する次世代型パワー半導体として注目されています。すでにデータセンターのサーバー電源や新エネルギーの分散型電源、地下鉄車両に採用されていますが、先般、自動車への搭載が表明されるなど、今後、一層の需要拡大が期待されています。

 当社はSiCエピウェハーに関して3インチ(76.2mm)品、4インチ品、および6インチ品の製造、販売を行っており、特にデバイスの生産効率が高い大口径6インチ品の供給を拡大するため、全サイズに対応可能なCVD装置**を増設しました。新装置は従来装置に比べエピの生産効率性が約30%高く、デバイスのさらなるコスト低減にも貢献します。

 加えて、将来の市場拡大が期待される自動車、発送電、高速鉄道向けのモジュールでは、一層の大電流容量が求められています。エピウェハーから生産されるSiCチップの大型化に伴うチップ生産時の歩留まり悪化を防ぐため、当社では、エピウェハーの表面欠陥を低減させた新グレード品***を10月より販売します。これにより、上記用途向けの大型チップの収率(歩留まり)は従来品に比べ10%以上の向上が見込めます****。

 SiCパワー半導体の市場規模は2020年に300億円規模に拡大すると予想されています。当社は今後も市場の要求品質に応え、市場形成に貢献してまいります。

 以上

*   増強前の生産能力 4インチ換算で1,500枚/月
**  成膜装置
*** 現状の欠陥密度の平均値0.5個/cm2に対し、新グレード品は平均0.25個/cm2
****7mm2~10mm2のチップでの想定


SiCエピウェハー(左より6インチ品、4インチ品、3インチ品)

 

◆ お問い合わせ先
昭和電工株式会社 広報室 03-5470-3235