ニュースリリース

大阪大学の次世代半導体実装プロジェクトで成果
-アルミニウム製パワー半導体用冷却器の技術で貢献-

2016年7月19日

 昭和電工株式会社(社長:市川 秀夫)が参画する国立大学法人 大阪大学 菅沼克昭教授のプロジェクトは、SiCパワー半導体が300℃の高温域においても安定的に動作する基板構造を開発しました。

 本プロジェクトは、耐熱性に優れたSiCパワー半導体を実装するための基板・パッケージ技術の開発を目的に、菅沼教授が中心となって推進する産学連携のプロジェクトです。菅沼教授はアルミの材料特性に着目され、これを応用した新しい基板技術を開発しました。この構造体は-40℃から300℃の温度サイクル条件下でも欠陥が生じないものです。

 当社は絶縁層を有するアルミ基板および冷却器の開発と接合(ろう付け)、基板・パッケージの放熱設計において本プロジェクトに参画しています。本プロジェクトに採用された当社の技術は、長年にわたるアルミ冷却器・熱交換器事業で培ったもので、本技術を活用したパワー半導体用冷却器は2010年に小山田記念賞を受賞しています*

 当社は、現在推進中の中期経営計画「Project 2020+」において、パワーモジュール向け部材の開発を進めています。当社が保有する多様な素材の設計・加工技術を生かして、耐熱性および放熱性に優れた新たな基板材料を開発するとともに、実装後の評価技術を確立し、パワーモジュールの小型化、高出力化に向けたソリューションを提供してまいります。

 以上

◆ お問い合わせ先:
広報室 03‐5470‐3235

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