ニュースリリース

パワー半導体用SiCエピウェハー 高品質グレード品の生産能力増強

2017年9月14日

 昭和電工株式会社(社長:森川 宏平)は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素(以下、SiC)エピタキシャルウェハー(以下、エピウェハー)の高品質グレードエピウェハ―「ハイグレードエピ(以下、HGE)」の生産能力増強を決定しました。2018年4月から稼働開始し、月産能力は現在の3000枚から5000枚(注1)に拡大します。

 SiCパワー半導体は、現在主流のSi(シリコン)に比べ耐高温・耐電圧・大電流特性に優れた半導体材料で、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と省エネルギー化に貢献することから、次世代パワー半導体として注目されています。データセンターのサーバー用電源、新エネルギーの分散型電源に加え、近年は鉄道車両のインバータモジュールや電気自動車用急速充電スタンドでも採用が進み、2020年までのSiCパワーデバイス市場は年率27%と大きな伸びが見込まれています(注2)

 高電圧・大電流に耐えうるパワーモジュールには主にSBD(注3)とMOSFET(注4)が搭載されていますが、現状はSiC-SBDの量産化が先行し、SiC-MOSFETの実用化には欠陥の低減が課題となっていました。当社が開発したHGEは、代表的な結晶欠陥である基底面転位(注5)を0.1個/cm2以下に抑えたエピウェハーです。2015年10月の販売開始以降、国内外のデバイスメーカーから高い評価を受け、SiC-SBD用途に加え、SiC-MOSFETの実用化に向けた採用も進んでいます。HGEの生産体制は現在フル稼働が続いており、来年以降SiC-MOSFET市場の本格的な立ち上がりが見込まれることから、今回の能力増強を決定しました。

 SiCパワー半導体は車載での早期実用化も検討されており、SiCエピウェハーの市場規模は2020年に200億円規模に拡大すると予想されます(注6)。当社は今後も市場の高品質化要求に応え、省エネルギー化に貢献してまいります。

以上

(注1)1200V耐圧用デバイス仕様での換算

(注2)富士経済「2017年版 次世代パワーデバイス&パワエレ関連機器市場の現状と将来展望」

(注3)ショットキーバリアダイオード(Schottky Barrier Diode)

(注4)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)。
駆動時の電力ロスが小さく、高速スイッチングを行う論理回路に適している。

(注5)基底面転位…SiC単結晶の基底面に発生する転位

(注6)当社推定

◆ 報道機関お問合せ先:広報室 03-5470-3235

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