ニュースリリース

パワー半導体用SiCエピウェハー 高品質グレード品の追加増強を決定

2018年1月23日

 昭和電工株式会社(社長:森川 宏平)は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素(以下、SiC)エピタキシャルウェハー(以下、エピウェハー)の高品質グレードエピウェハ―「ハイグレードエピ(以下、HGE)」について、現在進行中の生産能力増強に加え、さらなる増強を決定しました。当社の月産能力は本年4月に現在の3000枚から5000枚に拡大しますが、今回の追加増強により、本年9月には7000枚まで到達する予定です(注)

 SiCパワー半導体は、現在主流のSi(シリコン)製に比べ耐高温・耐電圧・大電流特性に優れた半導体材料で、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と省エネルギー化に貢献することから、次世代パワー半導体として注目されています。従来の電源用途に加え、車載への実装に向けた動きが具体化しており、鉄道車両のインバータモジュールの他、急速に伸長する電気自動車市場においても、車載充電器や急速充電スタンドでSiCパワー半導体への切り替えが進んでいます。

 当社のSiCエピウェハー事業は、業界最高水準である HGEの欠陥密度の低さと高い均一性が評価され、市場成長を上回る伸びを示しています。当社は2017年9月に生産能力の引き上げを決定しましたが、年央には新設備もフル生産となる見込みであることから、今回、さらなる投資を決定しました。

 当社は今後も、安定供給体制を構築することで、市場からの要求に応えてまいります。

以上

(注)1200V耐圧用デバイス仕様での換算

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