エレクトロニクス : ウエハー技術

ガリウム砒素エピタキシャルウェハー
GaAs(ガリウム砒素)エピタキシャルウェハー
GaAs単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法でpn説合を形成させた赤外発光ダイオード用のウェハー。赤外LEDチップに用いられます。
代表製品名英語
gallium arsenide epitaxial wafer
用途
赤外LEDチップ
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電子機能材事業部 営業部
TEL :03-5470-3293
FAX :03-3435-1034
MOCVDエピタキシャルウェハー
InP単結晶基板等に有機金属化学気相成長法によってInGaAs、InGaAsP等の多元素系薄膜を多層形成させたカスタム仕様のエピタキシャルウェハー。レーザーダイオード、受光素子(PIN、APD)に用いられます。
代表製品名英語
MOCVD epitaxial wafer
用途
受光素子(PIN、APD)
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電子機能材事業部 営業部
TEL :03-5470-3293
FAX :03-3435-1034
ガリウムリンエピタキシャルウェハー
GaP(ガリウムリン)エピタキシャルウェハー
GaP単結晶基板(n型)上に液相エピタキシャル成長法でpn接合を形成させた可視発光ダイオード用のウェハー。赤色、緑色、黄緑色等、各種色調及び輝度のものを取り揃えております。
代表製品名英語
gallium phosphide epitaxial wafer
用途
可視LEDチップ
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電子機能材事業部 営業部
TEL :03-5470-3293
FAX :03-3435-1034
SiCエピタキシャルウェハ
太陽光発電向けDC/ACコンバータ、EV向け高効率インバータ、鉄道・産業機器向けパワーインバータなど、様々な用途の省電力化のキーデバイスとしてますますの市場拡大が期待されているSiCパワー半導体。当社では、SiCパワー半導体の主要な原材料であるSiCエピタキシャルウェハの研究開発、製造、販売を行っています。
代表製品名英語
SiC epitaxial wafer
用途
パワーデバイス用半導体基板
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デバイスソリューション事業部 営業部
TEL :0494-23-6127
FAX :0494-25-0830
アルミニウムガリウム砒素エピタキシャルウェハー
AlGaAs(アルミニウムガリウム砒素)エピタキシャルウェハー
GaAs単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法でAlGaAsヘテロ接合エピタキシャル層形成させた発光ダイオード用のウェハー。高輝度赤色、700-930nmの赤外各種波長帯のものがあり、可視LEDチップと赤外LEDチップ双方に用いられます。
代表製品名英語
aluminium gallium arsenide epitaxial wafer
用途
可視LEDチップ、赤外LEDチップ
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電子機能材事業部 営業部
TEL :03-5470-3293
FAX :03-3435-1034
アルミニウムインジウムガリウムリンエピタキシャルウェハー
AlInGaP(アルミニウムインジウムガリウムリン)エピタキシャルウェハー
代表製品名英語
aluminium indium gallium phosphide epitaxial wafer
用途
高輝度可視LEDチップ
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電子機能材事業部 営業部
TEL :03-5470-3293
FAX :03-3435-1034
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