SiCエピタキシャルウェハー

よみがな えすあいしーえぴたきしゃるうぇはー
英語名称 SiC epitaxial wafer

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製品説明

SiCエピタキシャルウェハーは、Si系材料より耐熱性が高いうえ熱伝導率が高く、素子として電力の損失が少なくなるという特性を生かし、省エネルギー化が期待できる次世代のパワー半導体として使用される材料です。

用途

パワーデバイス用半導体基板

[ SiCエピタキシャルウェハー ]

 

参考仕様

・上記仕様以外でも対応できる場合がございます。
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お問い合わせ先

パワー半導体プロジェクト マーケティングユニット
TEL :0494-23-6127
FAX :0494-25-0830

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