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  • SiCエピタキシャルウェハー
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04 エネルギー問題の解決策

電気の節約が大切なのは、地球も家も同じです。

自然エネルギーの開発と共に、エネルギーの効率的な利用法にも注目が集まっています。
その中心となっているのは、私たちが開発したSiCエピタキシャルウェハーの使われている次世代型パワー半導体です。電気を使用する際のロスを限りなく少なくすることで、エネルギー問題を大きく前進させる具体化です。

SiCエピタキシャルウェハーとは

次世代のパワー半導体に使用される材料です。SiCを用いたパワー半導体は従来のSi半導体に比べて優れた特性を持ち、パワーモジュールの小型化と高効率化に貢献します。

昭和電工のSiC3つの特長

欠陥を大幅に低減した「ハイグレードエピ」

SiCデバイスの信頼性を高め、SiCパワーモジュールの実用化と市場拡大に貢献します。

4inch、6inch品をラインナップ

世界最大となる直径6インチのSiCエピタキシャルウェハーを量産しています。

量産化に対応する生産力

高耐圧向け厚膜エピタキシャルウエハーの量産化技術を確立しています。

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