エレクトロニクス
- ハードディスクハードディスクドライブに組み込まれるハードディスクと、その主要な原材料の一つであるハードディスク基板の研究開発、製造、販売を行っています。
- 代表製品名英語
- hard disk
- 用途
- データセンター向けからホームサーバーまでの各種サーバー、監視カメラ、PC、ゲーム機等のデジタル機器や外付け用の各種HDD(ハードディスクドライブ)
- ガリウムリンLEDチップGaP(ガリウムリン) LEDチップGaPエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のLEDに対応したチップに切断しています。表示ランプ、チップLED、バックライト、数字表示、アレイ、文字表示等のディスプレイに用いられます。
- 代表製品名英語
- gallium phosphide LED chip
- 用途
- 表示ランプ、チップLED、バックライト、数字表示、アレイ、文字表示などのディスプレイ
- アルミニウムガリウム砒素LEDチップAlGaAs(アルミニウムガリウム砒素)LEDチップAlGaAsエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のLEDに対応したチップに切断しています。可視LEDランプ、表示用ランプ、チップLED、数字表示、文字表示ディスプレイ、ドットマトリックスディスプレイ等に用いられます。
- 代表製品名英語
- aluminium gallium arsenide LED chip
- 用途
- 可視LEDランプ、赤外LEDランプ、リモコン、センサー、オプトカプラー
- ガリウム砒素LEDチップGaAs(ガリウム砒素)LEDチップGaAsエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のLEDに対応したチップに切断しています。赤外LEDランプ、リモコン、センサー、オプトカプラーに用いられます。
- 代表製品名英語
- gallium arsenide LED chip
- 用途
- 赤外LEDランプ、リモコン、センサー、オプトカプラー
- アルミニウムインジウムガリウムリンLEDチップAlInGaP(アルミニウムインジウムガリウムリン)LEDチップAlInGaPエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のLEDに対応したチップに切断しています。表示ランプ、ドットマトリックスディスプレイ、バックライト、植物育成用赤色LED(660nm)に用いられます。
- 代表製品名英語
- aluminium indium gallium phosphide LED chip
- 用途
- 表示ランプ、ドットマトリックスディスプレイ、バックライト、植物育成用赤色LED
- アルミニウムガリウム砒素エピタキシャルウェハーAlGaAs(アルミニウムガリウム砒素)エピタキシャルウェハーGaAs単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法でAlGaAsヘテロ接合エピタキシャル層形成させた発光ダイオード用のウェハー。高輝度赤色、700-930nmの赤外各種波長帯のものがあり、可視LEDチップと赤外LEDチップ双方に用いられます。
- 代表製品名英語
- aluminium gallium arsenide epitaxial wafer
- 用途
- 可視LEDチップ、赤外LEDチップ
- アルミニウムインジウムガリウムリンエピタキシャルウェハーAlInGaP(アルミニウムインジウムガリウムリン)エピタキシャルウェハー
- 代表製品名英語
- aluminium indium gallium phosphide epitaxial wafer
- 用途
- 高輝度可視LEDチップ
- ガリウム砒素エピタキシャルウェハーGaAs(ガリウム砒素)エピタキシャルウェハーGaAs単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法でpn説合を形成させた赤外発光ダイオード用のウェハー。赤外LEDチップに用いられます。
- 代表製品名英語
- gallium arsenide epitaxial wafer
- 用途
- 赤外LEDチップ
- MOCVDエピタキシャルウェハーInP単結晶基板等に有機金属化学気相成長法によってInGaAs、InGaAsP等の多元素系薄膜を多層形成させたカスタム仕様のエピタキシャルウェハー。レーザーダイオード、受光素子(PIN、APD)に用いられます。
- 代表製品名英語
- MOCVD epitaxial wafer
- 用途
- レーザーダイオード、受光素子(PIN、APD)
- ガリウムリンエピタキシャルウェハーGaP(ガリウムリン)エピタキシャルウェハーGaP単結晶基板(n型)上に液相エピタキシャル成長法でpn接合を形成させた可視発光ダイオード用のウェハー。赤色、緑色、黄緑色等、各種色調及び輝度のものを取り揃えております。
- 代表製品名英語
- gallium phosphide epitaxial wafer
- 用途
- 可視発光ダイオードチップ
- SiCエピタキシャルウェハ太陽光発電向けDC/ACコンバータ、EV向け高効率インバータ、鉄道・産業機器向けパワーインバータなど、様々な用途の省電力化のキーデバイスとしてますますの市場拡大が期待されているSiCパワー半導体。当社では、SiCパワー半導体の主要な原材料であるSiCエピタキシャルウェハの研究開発、製造、販売を行っています。
- 代表製品名英語
- SiC epitaxial wafer
- 用途
- パワーデバイス用半導体基板
- ポリ-N-ビニルアセトアミドN-ビニルアセトアミド単独重合体昭和電工が世界で初めて工業化に成功した機能性モノマー「N-ビニルアセトアミド」から誘導される水溶性高分子。水だけでなく、アルコールやジメチルスルホキシド(DMSO)といった極性溶媒にも溶解します。非イオン性ポリマーであるため塩やpHの影響を受けず、また耐候性が高く、特に熱に対する安定性があります。工業的には、バインダーや分散剤、粘・接着剤などに応用できます。
- 代表製品名英語
- Poly-N-vinylacetamide
- 用途
- 水性ポリマー、分散剤、粘・接着剤、エレクトロニクス,電池関連用途
- リチウムイオン電池用 アルミラミネートフィルム SPALF®リチウムイオン電池の包材に用いられるアルミラミネートフィルムです。樹脂フィルムとアルミ箔の複合材で、金属缶に比べて成形の自由度が高く軽量で、放熱性にも優れます。
- 代表製品名英語
- aluminum laminate film
- VGCF®-H気相法炭素繊維CVD法で合成された高結晶性、高純度のカーボンナノチューブです。リチウムイオン電池導電助剤として、正極材・負極材いずれにも添加できます。少量の添加でリチウムイオン電池の高容量化、長寿命化を可能にします。熱伝導性も高く、電極からの放熱を促進し、リチウムイオン電池の安全性を向上させます。
- 代表製品名英語
- VGCF-H
- 用途
- 導電助剤、樹脂複合材
- 高純度臭化水素HBrエッチングガス、クリーニングガスに利用される高品質の半導体材料ガスです。
- 代表製品名英語
- hydrogen bromide
- 用途
- エッチングガス
- 高純度六弗化硫黄SF6エッチングガス、クリーニングガスに利用される高品質の半導体材料ガスです。
- 代表製品名英語
- sulfur hexafluoride
- 用途
- エッチングガス、クリーニングガス
- 高純度三塩化硼素BCl3
- 代表製品名英語
- boron trichloride
- 用途
- エッチングガス
- 高純度液化亜酸化窒素N2O主に、半導体の酸窒化膜形成時の材料ガスとして使用されます。
- 代表製品名英語
- high purity liquified nitrous oxide
- 用途
- 膜成形ガス
- 高純度塩素Cl2エッチングガス、クリーニングガスに利用される高品質の半導体材料ガスです。
- 代表製品名英語
- chlorine
- 用途
- エッチングガス
- 高純度アンモニアNH3エピタキシャル、膜成形ガスに利用される高品質の高純度材料ガスです。
- 代表製品名英語
- ammonia
- 用途
- エピタキシャル、膜成形ガス