ハードディスクドライブに組み込まれるハードディスクと、その主要な原材料の一つであるハードディスク基板の研究開発、製造、販売を行っています。

ＡｌＧａＡｓエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のＬＥＤに対応したチップに切断しています。可視ＬＥＤランプ、表示用ランプ、チップＬＥＤ、数字表示、文字表示ディスプレイ、ドットマトリックスディスプレイ等に用いられます。

ＧａＡｓエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のＬＥＤに対応したチップに切断しています。赤外ＬＥＤランプ、リモコン、センサー、オプトカプラーに用いられます。

ＡｌＩｎＧａＰエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のＬＥＤに対応したチップに切断しています。表示ランプ、ドットマトリックスディスプレイ、バックライト、植物育成用赤色ＬＥＤ（６６０ｎｍ）に用いられます。

ＧａＰエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のＬＥＤに対応したチップに切断しています。表示ランプ、チップＬＥＤ、バックライト、数字表示、アレイ、文字表示等のディスプレイに用いられます。

ＧａＡｓ単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法でｐｎ説合を形成させた赤外発光ダイオード用のウェハー。赤外ＬＥＤチップに用いられます。

ＩｎＰ単結晶基板等に有機金属化学気相成長法によってＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の多元素系薄膜を多層形成させたカスタム仕様のエピタキシャルウェハー。レーザーダイオード、受光素子（ＰＩＮ、ＡＰＤ）に用いられます。

ＧａＰ単結晶基板(ｎ型）上に液相エピタキシャル成長法でpn接合を形成させた可視発光ダイオード用のウェハー。赤色、緑色、黄緑色等、各種色調及び輝度のものを取り揃えております。

太陽光発電向けＤＣ/ＡＣコンバータ、ＥＶ向け高効率インバータ、鉄道・産業機器向けパワーインバータなど、様々な用途の省電力化のキーデバイスとしてますますの市場拡大が期待されているＳｉＣパワー半導体。当社では、ＳｉＣパワー半導体の主要な原材料であるＳｉＣエピタキシャルウェハの研究開発、製造、販売を行っています。

ＧａＡｓ単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法でＡｌＧａＡｓヘテロ接合エピタキシャル層形成させた発光ダイオード用のウェハー。高輝度赤色、７００-９３０ｎｍの赤外各種波長帯のものがあり、可視ＬＥＤチップと赤外ＬＥＤチップ双方に用いられます。

昭和電工が世界で初めて工業化に成功した機能性モノマー「Ｎ－ビニルアセトアミド」から誘導される水溶性高分子。水だけでなく、アルコールやジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）といった極性溶媒にも溶解します。非イオン性ポリマーであるため塩やｐＨの影響を受けず、また耐候性が高く、特に熱に対する安定性があります。工業的には、バインダーや分散剤、粘・接着剤などに応用できます。

ＣＶＤ法で合成された高結晶性、高純度のカーボンナノチューブです。リチウムイオン電池導電助剤として、正極材・負極材いずれにも添加できます。少量の添加でリチウムイオン電池の高容量化、長寿命化を可能にします。熱伝導性も高く、電極からの放熱を促進し、リチウムイオン電池の安全性を向上させます。

リチウムイオン電池の包材に用いられるアルミラミネートフィルムです。樹脂フィルムとアルミ箔の複合材で、金属缶に比べて成形の自由度が高く軽量で、放熱性にも優れます。

エッチングガス、クリーニングガスに利用される高品質の半導体材料ガスです。

エッチングガス、クリーニングガスに利用される高品質の半導体材料ガスです。

主に、半導体の酸窒化膜形成時の材料ガスとして使用されます。

エッチングガス、クリーニングガスに利用される高品質の半導体材料ガスです。

エピタキシャル、膜成形ガスに利用される高品質の高純度材料ガスです。