ＧａＡｓ単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法でＡｌＧａＡｓヘテロ接合エピタキシャル層形成させた発光ダイオード用のウェハー。高輝度赤色、７００-９３０ｎｍの赤外各種波長帯のものがあり、可視ＬＥＤチップと赤外ＬＥＤチップ双方に用いられます。

ＧａＡｓ単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法でｐｎ説合を形成させた赤外発光ダイオード用のウェハー。赤外ＬＥＤチップに用いられます。

ＩｎＰ単結晶基板等に有機金属化学気相成長法によってＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の多元素系薄膜を多層形成させたカスタム仕様のエピタキシャルウェハー。レーザーダイオード、受光素子（ＰＩＮ、ＡＰＤ）に用いられます。

ＧａＰ単結晶基板(ｎ型）上に液相エピタキシャル成長法でpn接合を形成させた可視発光ダイオード用のウェハー。赤色、緑色、黄緑色等、各種色調及び輝度のものを取り揃えております。

太陽光発電向けＤＣ/ＡＣコンバータ、ＥＶ向け高効率インバータ、鉄道・産業機器向けパワーインバータなど、様々な用途の省電力化のキーデバイスとしてますますの市場拡大が期待されているＳｉＣパワー半導体。当社では、ＳｉＣパワー半導体の主要な原材料であるＳｉＣエピタキシャルウェハの研究開発、製造、販売を行っています。