ガリウム砒素エピタキシャルウェハー
- よみがな
- がりうむひそえぴたきしゃるうぇはー
- 英語名称
- gallium arsenide epitaxial wafer
- 製品の別名
- GaAs(ガリウム砒素)エピタキシャルウェハー / gallium arsenide epitaxial wafer
製品説明
GaAs単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法でpn接合を形成させた赤外発光ダイオード用のウェハーです。
用途
赤外LEDチップ
お問い合わせ先
電子機能材プロジェクト
TEL :0494-23-6112
FAX :0494-24-7708
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