トップページ製品情報エレクトロニクスウエハー技術ＭＯＣＶＤエピタキシャルウェハー

InP単結晶基板等に有機金属化学気相成長法によってInGaAs、InGaAsP等の多元素系薄膜を多層形成させたカスタム仕様のエピタキシャルウェハーです。

用途

レーザーダイオード、受光素子（PIN、APD）

保管条件等

温度範囲　10～30℃　湿度範囲　20～70％　遮光要　窒素雰囲気　の容器での保管を推奨します。

荷姿

個装

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