導電性高分子を主な成分とするチャージアップ防止膜形成材料です。塗膜は高い電子伝導性を示し、電子線リソグラフィーをはじめとする荷電粒子線照射プロセスにおいて、チャージアップによって生じる諸問題の解決が期待できます。

ＡｌＩｎＧａＰエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のＬＥＤに対応したチップに切断しています。表示ランプ、ドットマトリックスディスプレイ、バックライト、植物育成用赤色ＬＥＤ（６６０ｎｍ）に用いられます。

ＡｌＧａＡｓエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のＬＥＤに対応したチップに切断しています。可視ＬＥＤランプ、表示用ランプ、チップＬＥＤ、数字表示、文字表示ディスプレイ、ドットマトリックスディスプレイ等に用いられます。

ＧａＡｓ単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法でＡｌＧａＡｓヘテロ接合エピタキシャル層形成させた発光ダイオード用のウェハー。高輝度赤色、７００-９３０ｎｍの赤外各種波長帯のものがあり、可視ＬＥＤチップと赤外ＬＥＤチップ双方に用いられます。

ＧａＰエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のＬＥＤに対応したチップに切断しています。表示ランプ、チップＬＥＤ、バックライト、数字表示、アレイ、文字表示等のディスプレイに用いられます。

ＧａＰ単結晶基板(ｎ型）上に液相エピタキシャル成長法でpn接合を形成させた可視発光ダイオード用のウェハー。赤色、緑色、黄緑色等、各種色調及び輝度のものを取り揃えております。

ＧａＡｓエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のＬＥＤに対応したチップに切断しています。赤外ＬＥＤランプ、リモコン、センサー、オプトカプラーに用いられます。

ＧａＡｓ単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法でｐｎ説合を形成させた赤外発光ダイオード用のウェハー。赤外ＬＥＤチップに用いられます。

ＩｎＰ単結晶基板等に有機金属化学気相成長法によってＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の多元素系薄膜を多層形成させたカスタム仕様のエピタキシャルウェハー。レーザーダイオード、受光素子（ＰＩＮ、ＡＰＤ）に用いられます。